💾 삼성전자 D램, 다시 날개 달다…GDDR7·HBM4로 반전 노린다

33년 만에 D램 세계 1위 자리를 SK하이닉스에 내줬던 삼성전자가 다시 반등의 기회를 잡고 있다.
HBM 판매 부진에도 불구하고 1b D램 기반 GDDR7과 차세대 HBM4 전략이 시장에서 주목받고 있다.

🚀 GDDR7, 엔비디아 채택 확대

• 제품: 1b D램 기반 GDDR7 24Gb 모듈
• 적용: 엔비디아 RTX 프로 6000 블랙웰(중국용 AI 가속기), RTX 50 시리즈(게임용 GPU)
• 성능: 대역폭 전작 대비 +30% (1.92TB/s), 전력 효율 +30%
• 의미: SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램 물량을 집중하는 사이, GDDR7 수요를 삼성만 안정적으로 대응

업계 해석: “삼성의 품질·공급 능력을 엔비디아가 높이 평가한 결과”

📱 LPDDR5X도 실적 버팀목

1b D램 기반 저전력 D램
삼성 스마트폰뿐 아니라 미국·중국 주요 제조사에도 납품
평택캠퍼스 1b D램 생산라인 증설 진행 중

🧠 HBM4, 4㎚ 로직 다이 + 1c D램 승부수

• 로직 다이: 삼성 파운드리 4㎚ 공정
• 코어 다이: 10㎚ 6세대(1c) D램
• 경쟁사 대비 더 미세한 공정으로 성능 우위 확보
• 엔비디아 차세대 ‘루빈’ AI 가속기용 HBM4 속도 요구(10~11Gbps)에 유리

삼성은 지난달 1c D램과 HBM4 완제품의 내부양산승인(PRA)을 마쳤고, 이달 최종 샘플(CS)을 엔비디아에 공급할 계획이다.

📈 증권가 전망도 ‘상향’

• 3분기 메모리 영업이익 전망: 6조원대 (2분기 약 3조원 대비 2배 이상)
• HBM4·GDDR7·LPDDR5X 삼각축이 실적 개선 견인

💡 정리하자면

삼성전자는 HBM 부진을 GDDR7·LPDDR5X로 방어하고, 내년 본격 개화할 HBM4 시장에서 기술 우위를 노리고 있다.
엔비디아와의 협력 확대, 생산라인 증설, 차세대 공정 적용이 맞물리며
D램 사업의 ‘재역전 드라마’가 펼쳐질 가능성이 커지고 있다.